반도체 공정에서 석영이 적용되는 주요 공정을 소개합니다
Quartz Applications
Dry etch 공정은 플라즈마를 이용하여 반도체 패턴을 정밀하게 식각하는 공정
Process 특징
Plasma 환경, Reactive gas 사용, 강한 ion bombardment
요구 특성
Plasma resistance, Low particle generation, Dimensional stability
사용 Quartz 부품
Focus ring, Shield ring, Chamber liner, Window
Diffusion 공정은 고온에서 도핑을 진행하는 공정
Process 특징
온도:900~1100°C, 장시간 열처리, 금속 오염에 매우 민감
요구 특성
High purity, High temperature stability, Low metal contamination
사용 Quartz 부품
Quartz process tube, Wafer boat, Paddle, Gas injector
CVD는 반응성 가스를 이용하여 웨이퍼 표면에 박막을 증착하는 공정
Process 특징
온도 : 400~900°C, 반응성 가스 사용, 표면 박막 형성
요구 특성
Chemical resistance, High purity quartz, Low particle generation
사용 Quartz 부품
Shower head, Chamber liner, Gas distribution plate, Wafer carrier
RTP는 웨이퍼를 단시간에 고온으로 가열하여 공정을 수행하는 열처리 공정
Process 특징
급속 승온, 최대 1000°C 이상, 짧은 공정 시간
요구 특성
Thermal shock resistance, Optical transparency, High purity quartz
사용 Quartz 부품
Quartz window, Wafer support, Reflector components